IT之家 11 月 1 日讯息，凭据 DigiTimes 报说念bitpie官网，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 清晰，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个加多到 4 个，有望昭着改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的迥殊地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，瞎想 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过加多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管加多纳米片数目，不错增强驱动电流，从而晋升性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关才能和初始速率。

此外，更多的纳米片不错更好地适度电流，这有助于减少走电流，从而裁减功耗。此外，校正的电流适度还意味着晶体管产生的热量更少bitpie官网，从而晋升了功率松手。

IT之家此前报说念，三星还瞎想在 1.4nm 工艺中采选背部供电（BSPDN）本事，旨在更好地挖掘晶圆后面空间的后劲，但于今仍未在大家鸿沟内引申。

诚然现在半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为本事节点进行系统定名，但毫无疑问现在的工艺本事亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩道路握住地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也握住缩窄，从而对互相产生烦闷，而 BSPDN 本事则不错克服这一松手，这是因为咱们不错欺诈晶圆后面来构建供电道路，以分隔电路和电源空间。

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《三星瞎想 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电本事》

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