IT之家 11 月 1 日音信，把柄 DigiTimes 报说念，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 知道，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中bitpie，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个加多到 4 个，有望显着改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的跳动地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，筹谋 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过加多纳米片数目进一步改善工艺。

奇偶分析：排列三最近3期奇偶比为2:1、2:1、1:2，奇偶类型开出：奇奇偶、奇偶奇、奇偶偶，本期预计偶数号码热出，关注奇偶比1：2，看好奇偶类型：偶偶奇。

个位走势：最近10期出现在0-9之间，跨度为10点，开出范围较大，上期出现号码6，上升5点，本期注意该位走小。另外，最近10期该位012路号码比为6：2：2，0路较热bitpie，本期防0路再出，关注号码0。

每个晶体管加多纳米片数目，不错增强驱动电流，从而升迁性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关才略和脱手速率。

bitpie使用说明

此外，更多的纳米片不错更好地限度电流，这有助于减少走电流，从而镌汰功耗。此外，更始的电流限度还意味着晶体管产生的热量更少，从而升迁了功率恶果。

IT之家此前报说念，三星还筹谋在 1.4nm 工艺中袭取背部供电（BSPDN）技能，旨在更好地挖掘晶圆后头空间的后劲，但于今仍未在内行范畴内引申。

固然现在半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为技能节点进行系统定名，但毫无疑问现在的工艺技能亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩道路束缚地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也束缚缩窄，从而对互相产生搅扰，而 BSPDN 技能则不错克服这一收尾，这是因为咱们不错诓骗晶圆后头来构建供电道路，以分隔电路和电源空间。

关系阅读：

]article_adlist-->

《三星筹谋 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电技能》

告白声明：文内含有的对外跳转指令（包括不限于超指令、二维码、口令等款式）bitpie，用于传递更多信息，检朴甄选时候，收尾仅供参考，IT之家总共著作均包含本声明。

　　声明：新浪网独家稿件，未经授权拦阻转载。 -->